실리콘 제어정류기 ( silicon controlled rectifier: SCR )라고도 한다. 양극 ( anode ) ·음극 ( cathode ) ·게이트 ( gate )의 3단으로 구성되어 있으며 , 게이트에 신호가 인가되면 양극과 음극 사이에 전류가 흐르고 , 게이트 신호가 없으면 양극과 음극 사이에 전류는 흐르지 않고 높은 전압이 유지된다. p-n-p-n 4층 구조를 가지며 , 1950년대 말에 개발되어 오늘날 6 , 000 V 이상의 전압을 견딜 수 있고 , 3 , 000 A 이상의 전류를 제어할 수 있다.응용 범위는 고전압직류 ( HVDC ) 송전과 같은 계통전력에서 전동기 제어 , 초음파 등 고주파 응용에 이르기까지 다양하다. LASCR ( Light Activated Thyristor ) , RCT ( Reverse Conducting Thyristor ) , CATT ( Gate Assisted Turn-off Thyristor ) , GTO ( Gate Turn-off Thyristor ) , ASCR ( Asymmetric Thyristor ) , MCT ( MOS Controlled Thyristor ) 등 여러 형태가 있다. 특히 MCT는 1993년경 미국 해리스 반도체에서 처음 생산하였으며 , MOS 게이트로 제어되는 가장 이상적인 전력반도체 소자라고 평가되고 있다.
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